据IT外包网 www.itwaibaow.com 报道，惠普科学家已经研制了下一代内存技术叫做忆阻器，这部分作为当今发展的潜在替代看到一个小小的突破被广泛应用的闪存和DRAM技术。
星期一，该杂志刊登在一份文件“纳米技术”科学家报告说，他们已经制定了基本的化学和里面的东西在其发生的电气操作忆阻器的结构。
惠普高级研究员，Stan Williams说，此前，虽然工作的忆阻器已在实验室建成，科学家不知道里面究竟是什么发生的微小结构。因此，虽然惠普已经确信它可以商业化的技术，这一发现将允许它极大地提高其性能。
他说，“我们在一个地方，我们将不得不一些作品相当不错的道路，但是这提高了我们的信心，应使我们能够改进的设备，使他们显着提高。”。
忆阻器是在1971年首次描述了一个在加州大学伯克利分校教授。在此之前，科学家只知道三个基本电路元件，电阻器，电容器和电感器。
几十年后，在惠普的科学家证明，忆阻器的存在，并进一步证明，它们可以通过切换两个或两个以上的电阻，这将让他们代表的数字计算。
科学家们知道，转换过程发生，但发现很难学习，因为忆阻器是如此的渺小。惠普的最新突破是利用高度集中的X射线查明频道，仅100纳米宽，那里的电阻开关发生。
然后，他们制定了该通道的化学和结构，从而获得了忆阻器如何操作更好的主意。该文件是联合发表了惠普和加州大学圣巴巴拉。
的内存，可与忆阻器内置类型，叫做ReRAM，是非易失性的，这意味着设备可以保持它们的数据后，电源关闭。这是在对比的DRAM，其中存储的数据丢失当电源被切断。
威廉斯估计，惠普的忆阻器技术可以进行商业在2013年年中投入使用，他说，“这不是一个由惠普作为一个公司的官方承诺，”。
威廉姆斯表示，惠普已经建立了在其实验室，应使每平方厘米12G条字节的存储密度采样设备，在使用了15纳米的生产工艺和多层次的设计，其中四个存储单元层上互相叠放。
sloepx 于 2011-05-17 08:44:53发表:
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